BCM847DS/DG/B2 115
Valmistajan tuotenumero:

BCM847DS/DG/B2 115

Product Overview

Valmistaja:

NXP Semiconductors

Osan numero:

BCM847DS/DG/B2 115-DG

Kuvaus:

NEXPERIA BCM847DS - SMALL SIGNAL
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 6-TSOP

Varasto:

12967680
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

BCM847DS/DG/B2 115 Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaaritransistorisarjat
Valmistaja
NXP Semiconductors
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
45V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
400mV @ 5mA, 100mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
15nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Teho - Max
250mW
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Toimittajan laitepaketti
6-TSOP
Perustuotenumero
BCM847

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
4,438
Muut nimet
2156-BCM847DS/DG/B2 115-954

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)
Vendor Undefined
REACH-tilanne
REACH Unaffected
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
nxp-semiconductors

PBSS5112PAP,115

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG

harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN